Ученые Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» и Московского педагогического государственного университета, а также исследователи из других научных учреждений России создали чип нового поколения, который позволит разрабатывать уникальные фотонные «микросхемы». Статья по теме появилась в издании APL Materials.
Технологии оптической передачи и интерпретации данных, как отметили авторы нового исследования, сегодня во многом зависят от создания фотонных интегральных схем — аналогов микросхем, но с управлением не электрическим током, а светом, который поступает по волноводам с сечением менее одного квадратного микрометра.
Переход вычислительной техники на интегрально-оптические схемы позволит в значительной степени повысить ее быстродействие. Но создание полноценных фотонных интегральных схем требует разработки специальных управляющих элементов. Такие элементы должны менять свойства проходящих оптических сигналов при минимально возможных потерях энергии, что весьма непросто обеспечить на практике.
Авторы нового проекта представили оптический перестраиваемый элемент из тонких пленок Ge-Sb-Te (GST) (материал фазовой памяти). Ключевая особенность материала — изменение оптических и электрических параметров при переключении между аморфным (неупорядоченным) и кристаллическим (упорядоченным) состояниями.